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思锐智能专注ALD创新,突破产能效率边界和性能新高度

发布时间:2021-08-09    1698 阅读量

沉积、光刻、刻蚀以及等离子注入是半导体和超越摩尔领域制造工艺的 4 大关键技术。在新晶圆产线的投资建设中,约 80% 的投资用于购买设备,薄膜沉积设备更是占据其中约 25% 的比重。业界主流的薄膜沉积工艺主要有原子层沉积 (ALD)、物理式真空镀膜 (PVD) 和化学式真空镀膜 (CVD) 等。其中 ALD 属于 CVD 的一种,是当下最先进的薄膜沉积技术。调研机构 GIR 相关报告表明,全球 ALD 设备的市场规模在 2021-2026 年的年复合增长率预计达到 25.1%,将从 2019 年的 10.661 亿美元增至 2026 年的 26.129 亿美元。

随着新材料、新制程、新工艺在新兴半导体制造行业的应用与发展,ALD 技术可以使得材料以单原子膜(0.1nm)形式沉积在基板表面的特性,在沉积层的厚度控制、3D 异形材料表面均匀度、表面无针孔、折射率等方面具有显著优势,因此特别适用于 MEMS、CMOS 图像传感器等产品的制造与生产,并逐渐成为超越摩尔领域的镀膜沉积技术首选。

青岛四方思锐智能技术有限公司(SRII)全资子公司——BENEQ 全新推出的 TransformTM 系列设备是专为超越摩尔应用市场提供的具有竞争力的 ALD 解决方案。TransformTM 平台采用了全新的集群设计和尖端的镀膜沉积技术,可以为 8" 及以下晶圆的表面沉积多种材料,包括 Al2O3、SiO2、AlN、TiN 等氧化物与氮化物,并实现完全保形和高均匀性的薄膜沉积。BENEQ 半导体业务技术总监 Alexander Perros 介绍 :BENEQ 通用型 ALD 技术的超越摩尔应用矩阵十分丰富,包括功率器件、滤波器、MEMS 和 CIS 等。同时,BENEQ 针对不同的细分市场也推出了不同的 ALD 解决方案,主要包括高 K 介电质、表面钝化、ALD 成核层、化学阻挡层、防潮层及抗反射膜等。例如,表面钝化,可以用不同 ALD 材料来实现表面钝化,防潮层则在封装上发挥关键作用;这些均在广泛的应用中具备很强的通用性。

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代表BENEQ先进通用型ALD技术的TransformTM 系列设备

一个平台,多种配置

BENEQ Transform ™凭借多功能性和灵活性,制造了全新的 ALD 集群工具设备。可适用于广泛的应用场景并满足不同的市场细分。Beneq Transform ™配置多个 ALD工艺模块,以满足特定的晶圆产能要求,也可为应对不断增长的产量或新的 ALD 应用而进行升级。

BENEQ 半导体业务负责人 Patrick Rabinzohn 表示 :“TransformTM 平台兼容单片、批量、热法以及等离子体等功能,是目前业界仅有、集多项功能于一体的通用型先进平台。不仅如此,TransformTM 平台更具备灵活配置的优势,客户可以根据自身需求,选择‘3 组 ALD 模块 + 预加热模块’构建 TransformTM 的标准配置、或‘2 组 ALD 模块+ 预加热模块’构建 TransformTM Lite 的简化配置,实现差异化、更具效益的生产和管理方式,并在主流厂商中开拓了意向订单。”

以镀膜沉积 50 纳米的氧化铝为例,若采用标准配置的 TransformTM 系统,最多的产量可以达到每小时 40 片晶圆以上,即使 Lite 设备也能达到每小时 25 片以上,这于整个行业对 ALD 的传统认知可谓颠覆性的技术突破!Beneq TransformTM 专为晶圆厂而设计,适用于广泛的高性能氧化物和氮化物,在工艺制备中可满足最苛刻的薄膜沉积要求,并提供无与伦比的灵活性。工业标准的水平晶圆装载可实现即插即用的无缝集成。配备独特的预热模块,可减少数小时的等待时间,并将产能提升到一个全新的水平。

BENEQ TransformTM 平台已经通过 SEMI S2/S8 认证,支持 SECS/GEM 标准,并逐渐向 12" 晶圆的成熟沉积技术迈进。除了纵向的技术、性能、产能突破,凭借BENEQ 先进的通用型 ALD 技术,思锐智能正在拓展更多前沿垂直行业的应用创新,将为客户提供灵活、可靠、高产能的半导体晶圆镀膜量产解决方案。

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